Томские ученые создали инновационный ЛКМ для электроники

15.01.2021 07:41
Даниил Зуза, фото ©www.tsu.ru

Исследователи из Томска, Института сильноточной электроники (ИСЭ) РАН и Томского государственного университета (ТГУ), разработали антикоррозионное покрытие, способное защитить электронику при экстремально низких температурах.

Как сообщает пресс-служба ТГУ, материал обладает высокой химической устойчивостью к большинству растворителей.

По словам одного из участников проекта, сотрудника лаборатории химических технологий ТГУ, аспиранта ИСЭ Даниила Зузы, сейчас для защиты электроники используются ЛКМ на основе полиакрилатов, эпоксидных смол или эпоксидных смол. Покрытия наносят при помощи кисти, распылением или погружением платы в раствор. При этом возникают трудности с нанесением материала в труднодоступные месте. Как результат – нарушение сплошности и возможный вывод платы из строя. Кроме того, внутри покрытия образуются пузырьки воздуха.

Для решения этих проблем ученые изменили технологию нанесения продукта и само покрытие (его рецептура не раскрывается). Нанесение материала происходит из газовой фазы.

«Мы берем вещество, которое мы называем мономер (по аналогии с полимеризацией в традиционном смысле), испаряем его и транспортируем эти пары в плазму, где происходят различные плазмохимические реакции. В результате образуются активные частицы, которые оседают на подложку и формируют покрытие. По времени этот процесс занимает не более 30 минут, а покрытие получается гладким и механически прочным. Поскольку осаждение происходит из газовой фазы, не возникает проблем с проникновением реакционного газа в труднодоступные места», – цитирует пресс-служба вуза исследователя.

Материал способен защитить электронные компоненты и печатные платы при повышенной влажности, наличии химически агрессивных веществ и перепадах температур. Исследование показало, что покрытие сохраняет свойства после термоциклирования на воздухе в диапазоне от -196 до +130 градусов по Цельсию.

Добавим, ученые выполнили проект при поддержке Научного фонда ТГУ им. Д.И. Менделеева. В перспективе исследователи намерены расширить сферы применения разработки.